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材料在宏觀尺度和納米尺度上表現(xiàn)出的行為差異很大。近年來對于二級相變材料在納米尺度上的相變行為的研究也越來越多。但在二級相變材料構(gòu)成的納米單晶中，兩相能否熱力學(xué)穩(wěn)定共存仍不清楚，而這種現(xiàn)象根據(jù)朗道理論嚴(yán)格來說不可能出現(xiàn)于塊體材料中。同時(shí)，目前也不清楚能否在二級相變材料中實(shí)現(xiàn)原子尺度的操控。而這兩點(diǎn)對于理解納米材料中的相變行為及潛在的納米器件應(yīng)用上都有著至關(guān)重要的作用。近日，浙江大學(xué)材料學(xué)院張澤院士和*教授（共同通訊作者）與中科院上海硅酸鹽所陳立東、史迅研究員團(tuán)隊(duì)，美國倫斯勒理工...

大量研究表明，金屬納米粒子的催化活性與其三維結(jié)構(gòu)和原子表面結(jié)構(gòu)具有很大的相關(guān)性。對納米催化劑的性能進(jìn)行合理優(yōu)化設(shè)計(jì)在很大程度上取決于先進(jìn)的定量3D表征技術(shù)的可用性。電子斷層掃描目前能夠在原子分辨率下對納米結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)和組成進(jìn)行3D分析，但是所有這些測量大多是在室溫和超高真空中進(jìn)行的，這些條件與實(shí)際應(yīng)用相關(guān)性不大。靜態(tài)條件下測量的納米顆粒的3D結(jié)構(gòu)還不能夠*解釋其在變化的反應(yīng)環(huán)境中的結(jié)構(gòu)演化和結(jié)構(gòu)與性質(zhì)之間的關(guān)聯(lián)性。金屬Pt是典型的氣相反應(yīng)的催化劑，這類反應(yīng)通常是在有氧氣或者氫氣...

具有明確結(jié)構(gòu)和可調(diào)組成的金屬間化合物L(fēng)I0型PdZn因其*的催化性能，非常適用于多相催化。目前的研究雖然可以可控的制備得到負(fù)載的PdZn金屬間催化劑，但是對于合成工藝中的某些關(guān)鍵步驟卻一直缺乏有力的證據(jù)，這在一定程度上限制了其應(yīng)用。有學(xué)者在超高真空環(huán)境下，基于一些模型系統(tǒng)研究了PdZn的形成機(jī)制，但是考慮到模型與實(shí)際系統(tǒng)之間存在非常不同的化學(xué)環(huán)境和材料差距，在實(shí)際應(yīng)用條件下對PdZn負(fù)載型催化劑的研究就很迫切且至關(guān)重要。另據(jù)文獻(xiàn)報(bào)道，金屬間化合物的形成過程是從Pd納米顆粒的表...

納米晶體（NCs），也稱為量子點(diǎn)，由于其在諸如發(fā)光二極管、光電探測器和光伏器件等光電應(yīng)用中的性能而引起了很大的關(guān)注。由于具有不同生長模式的NCs通常顯示不同的物理和化學(xué)性質(zhì)，對NCs生長過程的詳細(xì)研究可能有助于更好地理解相變和潛在的生長機(jī)制。定向附著生長模式是目前許多納米材料的主要生長模式并得到廣泛報(bào)道，定向生長主要是通過高溫下納米材料的自發(fā)空間旋轉(zhuǎn)來實(shí)現(xiàn)，因此需要高的空間自由度。而納米材料在生長過程中會聚集并相互接觸，多界面的接觸會直接導(dǎo)致納米晶空間自由度的下降，然而在實(shí)際...

碳納米管（CNTs）因其具有*的物理和化學(xué)性質(zhì)以及它們在電子，催化，儲能等方面的潛在用途，在過去的幾十年中引發(fā)了巨大的研究興趣，合成具有受控直徑，長度和手性的CNT是決定基于CNT的器件性能的關(guān)鍵因素。現(xiàn)有的研究對于CNT的生長機(jī)制的理解大部分還停留在分子水平，缺乏有關(guān)CNT生長的原子級信息，這在很大程度上造成了CNT生產(chǎn)的不可控。一些關(guān)鍵問題仍在等待答案或澄清，例如，催化劑的狀態(tài)（液體或固體）是什么，催化劑的活性結(jié)構(gòu)是什么，溫度或壓力等外部參數(shù)如何影響碳納米管的生長動力學(xué)，...

層狀過渡金屬二硫化物（LTMDs）由于其出色的物理和化學(xué)特性使其在光電、催化和復(fù)合材料等領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用價(jià)值，引起人們的廣泛關(guān)注。LTMDs晶體上通常存在兩種類型的表面位點(diǎn)：在基面上的階地位點(diǎn)和在側(cè)表面上的邊緣位點(diǎn)。由于各向異性鍵合和使表面能小化的趨勢，LTMDs通常表現(xiàn)出水平取向的形態(tài)，以小的懸空鍵將基面暴露為終止表面。近，有研究已經(jīng)開發(fā)出新的一類LTMDs，二維（2D）分子層垂直組裝以優(yōu)選暴露邊緣位點(diǎn)而不是階地位點(diǎn)。由于邊緣位點(diǎn)上暴露的懸空鍵的化學(xué)反應(yīng)性增強(qiáng)，垂直排列的...